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DR 平板探测器从能量转换的方式可以分为两种 :间接转换平板探测器( indirect FPD)和直接转换平板探测器( directFPD)。

间接转换平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管( Thi n Film T ransistor , T FT)或电荷耦合器件( C hargeC oupling Device , C CD)或 互 补 型 金 属 氧 化 物 半 导 体( Com plem en tary M etal Oxide S em i -Conductor , CM OS)构成 。间接转换平板探测器的工作过程一般分为两步 , 首先闪烁晶体涂层将 X 射线的能量转换成可见光 ;其次 TF T 或者C CD , 或 C MO S 将可见光转换成电信号。由于在这过程中可见光会发生散射 , 对空间分辨率产生一定的影响 。虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对 X 射线的利用及降低散射 ,但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。

在间接转换的平板探测器中 , 影响 DQE 的因素主要有两个方面 : 闪烁体的涂层和将可见光转换成电信号的晶体管 。 [2] 首先闪烁体涂层的材料和工艺影响了 X 射线转换成可见光的能力 , 因此对 DQ E 会产生影响 。常见的闪烁体涂层材料有两种 : 碘化铯 (C sI ) 和硫氧化钆 (Gd2O 2S )。 碘化铯将 X射线转换成可见光的能力比硫氧化钆强但成本比较高 ; 将碘化铯加工成柱状结构 , 可以进一步提高捕获 X 射线的能力 , 并减少散射光 。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快 , 性能稳定 , 成本较低 , 但是转换效率不如碘化铯涂层高。

直接转换平板探测器中 , X 射线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对, DQ E 的高低取决于非晶硒层产生电荷能力 。总的说来 ,C sI +T FT 这种结构的间接转换平板探测器的极限 DQE 高于 a -Se 直接转换平板探测器的极限DQ E。在直接转换平板探测器中 , 由于没有可见光的产生 , 不发生散射 , 空间分辨率取决于单位面积内薄膜晶体管矩阵大小 。矩阵越大薄膜晶体管的个数越多 , 空间分辨率越高 , 随着工艺的提高可以做到很高的空间分辨率。